2 collu silīcija karbīda plāksnes 6H vai 4H N tipa vai daļēji izolējoši SiC substrāti

4H SiC vafeļu N tips
Diametrs: 2 collas 50,8 mm | 4 collas 100 mm | 6 collas 150 mm
Orientācija: no ass 4,0˚ virzienā uz <1120> ± 0,5˚
Pretestība: <0,1 oms.cm
Raupjums: Si virsmas CMP Ra <0,5 nm, C virsmas optiskā pulēšana Ra <1 nm

4H SiC vafele, daļēji izolējoša
Diametrs: 2 collas 50,8 mm | 4 collas 100 mm | 6 collas 150 mm
Orientācija: uz ass {0001} ± 0,25˚
Pretestība: >1E5 omi.cm
Raupjums: Si virsmas CMP Ra <0,5 nm, C virsmas optiskā pulēšana Ra <1 nm

1. 5G infrastruktūra — sakaru barošanas avots.
Sakaru barošanas avots ir serveru un bāzes staciju sakaru enerģijas bāze. Tas nodrošina elektroenerģiju dažādām pārraides iekārtām, lai nodrošinātu sakaru sistēmas normālu darbību.

2. Jaunu enerģijas transportlīdzekļu uzlādes kaudze — uzlādes kaudzes jaudas modulis.
Uzlādes kaudzes barošanas moduļa augsto efektivitāti un lielo jaudu var panākt, izmantojot uzlādes kaudzes barošanas modulī silīcija karbīdu, lai uzlabotu uzlādes ātrumu un samazinātu uzlādes izmaksas.

3. Liels datu centrs, rūpnieciskais internets — servera barošanas avots.
Servera barošanas avots ir servera enerģijas bibliotēka. Serveris nodrošina barošanu, lai nodrošinātu servera sistēmas normālu darbību. Silīcija karbīda barošanas komponentu izmantošana servera barošanas avotā var uzlabot servera barošanas avota jaudas blīvumu un efektivitāti, samazināt datu centra apjomu kopumā, samazināt datu centra kopējās būvniecības izmaksas un sasniegt augstāku vides efektivitāti.

4. Uhv — elastīgu pārraides līdzstrāvas automātisko slēdžu pielietojums.

5. Starppilsētu ātrgaitas dzelzceļš un starppilsētu dzelzceļa sabiedriskais transports — vilces pārveidotāji, jaudas elektroniskie transformatori, palīgpārveidotāji, palīgbarošanas avoti.