SiC
-
12 collu SIC substrāts silīcija karbīdam, augstākās kvalitātes diametrs 300 mm, liels izmērs 4H-N, piemērots lielas jaudas ierīču siltuma izkliedei
-
8 collu SiC silīcija karbīda vafele 4H-N tipa 0,5 mm ražošanas kvalitātes pētniecības kvalitātes pielāgots pulēts substrāts
-
HPSI SiC vafeļu diametrs: 3 collas, biezums: 350 μm ± 25 μm jaudas elektronikai
-
3 collu augstas tīrības pakāpes daļēji izolējošs (HPSI) SiC vafeles 350 µm Dummy grade Augstākās kvalitātes
-
P tipa SiC substrāta SiC vafele Dia2inch jauns produkts
-
8 collu 200 mm silīcija karbīda SiC plāksnes 4H-N tipa ražošanas pakāpe 500 μm biezums
-
2 collu 6H-N silīcija karbīda substrāts Sic vafele, dubulti pulēta, vadoša pamatklase, Mos klase
-
SiC substrāts SiC Epi-vafele vadošs/daļēji tips 4 6 8 collas
-
SiC epitaksiālā plāksne barošanas ierīcēm — 4H-SiC, N tipa, zems defektu blīvums
-
4H-N tipa SiC epitaksiālā vafeļu augsta sprieguma augstas frekvences
-
3 collu augstas tīrības pakāpes (neleģētas) silīcija karbīda plāksnes, daļēji izolējoši silīcija substrāti (HPSl)
-
4H-N 8 collu SiC substrāta vafele ar silīcija karbīda imitāciju, pētniecības pakāpe 500 μm biezumā