150 mm 6 collas 0,7 mm 0,5 mm Sapphire Wafer substrāta nesējs C-Plane SSP/DSP

150 mm 6 collas 0,7 mm 0,5 mm Sapphire Wafer substrāta nesēja C-Plane SSP/DSP piedāvātais attēls

Īss apraksts:

Visi iepriekš minētie ir pareizi safīra kristālu apraksti.Safīra kristāla lieliskā veiktspēja padara to plaši izmantotu augstākās klases tehnikas jomās.Strauji attīstoties LED industrijai, pieaug arī pieprasījums pēc safīra kristāla materiāliem.

Nosūtiet mums e-pastu

Produkta informācija

Produktu etiķetes

Lietojumprogrammas

6 collu safīra plātņu lietojumi ietver:

1. LED ražošana: safīra vafeles var izmantot kā LED mikroshēmu substrātu, un tās cietība un siltumvadītspēja var uzlabot LED mikroshēmu stabilitāti un kalpošanas laiku.

2. Lāzera ražošana: Safīra vafeles var izmantot arī kā lāzera substrātu, lai palīdzētu uzlabot lāzera veiktspēju un pagarināt kalpošanas laiku.

3. Pusvadītāju ražošana: safīra plāksnītes tiek plaši izmantotas elektronisko un optoelektronisko ierīču, tostarp optiskās sintēzes, saules bateriju, augstfrekvences elektronisko ierīču u.c., ražošanā.

4. Citi lietojumi: Safīra vafeles var izmantot arī skārienekrāna, optisko ierīču, plānas plēves saules bateriju un citu augsto tehnoloģiju produktu ražošanai.

Specifikācija

Materiāls	Augstas tīrības pakāpes monokristāls Al2O3, safīra vafele.
Izmērs	150 mm +/- 0,05 mm, 6 collas
Biezums	1300 +/- 25 um
Orientēšanās	C plakne (0001) no M (1-100) plaknes 0,2 +/- 0,05 grādi
Primārā plakana orientācija	Plakne +/- 1 grāds
Primārais plakanais garums	47,5 mm +/- 1 mm
Kopējā biezuma variācija (TTV)	<20 um
Priekšgala	<25 mm
Velku	<25 mm
Termiskās izplešanās koeficients	6,66 x 10-6 / °C paralēli C asij, 5 x 10-6 / °C perpendikulāri C asij
Dielektriskā izturība	4,8 x 105 V/cm
Dielektriskā konstante	11,5 (1 MHz) gar C asi, 9,3 (1 MHz) perpendikulāri C asij
Dielektrisko zudumu tangente (aka izkliedes koeficients)	mazāk nekā 1 x 10-4
Siltumvadītspēja	40 W/(mK) pie 20 ℃
Pulēšana	vienpusēja pulēta (SSP) vai dubultā puse pulēta (DSP) Ra < 0,5 nm (ar AFM).SSP vafeles otrā puse tika smalki samalta līdz Ra = 0,8–1,2 um.
Caurlaidība	88% +/-1 % @ 460 nm