2 collu silīcija karbīda substrāts 6H-N divpusējs pulēts diametrs 50,8 mm ražošanas pakāpes izpētes pakāpe

Īss apraksts:

Silīcija karbīds (SiC), pazīstams arī kā karborunds, ir pusvadītājs, kas satur silīciju un oglekli ar ķīmisko formulu SiC. SiC tiek izmantots pusvadītāju elektronikas ierīcēs, kas darbojas augstā temperatūrā vai augstā spriegumā, vai abos. SiC ir arī viens no svarīgiem LED komponentiem, tas ir populārs substrāts GaN ierīču audzēšanai, kā arī kalpo kā siltuma izplatītājs augstas strāvas gaismas diodes.
Silīcija karbīda vafeles ir augstas veiktspējas materiāls, ko izmanto elektronisko ierīču ražošanā. Tas ir izgatavots no silīcija karbīda slāņa silīcija kristāla kupolā un ir pieejams dažādās kategorijās, veidos un virsmas apstrādē. Vafelēm ir Lambda/10 plakanums, kas nodrošina visaugstāko kvalitāti un veiktspēju no vafelēm izgatavotām elektroniskām ierīcēm. Silīcija karbīda vafeles ir ideāli piemērotas izmantošanai spēka elektronikā, LED tehnoloģijā un progresīvos sensoros. Mēs piegādājam augstas kvalitātes silīcija karbīda vafeles (sic) elektronikas un fotonikas nozarēm.

Nosūtiet mums e-pastu

Produkta informācija

Produktu etiķetes

Tālāk ir norādītas 2 collu silīcija karbīda vafeles īpašības:

1. Labāka starojuma izturība: SIC plāksnēm ir spēcīgāka starojuma pretestība, tāpēc tās ir piemērotas izmantošanai radiācijas vidē. Piemēri ir kosmosa kuģi un kodoliekārtas.

2. Augstāka cietība: SIC vafeles ir cietākas nekā silīcijs, kas uzlabo vafeļu izturību apstrādes laikā.

3. Zemāka dielektriskā konstante: SIC plātņu dielektriskā konstante ir zemāka nekā silīcija, kas palīdz samazināt ierīces parazitāro kapacitāti un uzlabot augstfrekvences veiktspēju.

4. Lielāks piesātināto elektronu dreifēšanas ātrums: SIC plāksnēm ir lielāks piesātināto elektronu novirzes ātrums nekā silīcijam, kas dod SIC ierīcēm priekšrocības augstfrekvences lietojumos.

5. Lielāks jaudas blīvums: ar iepriekšminētajām īpašībām SIC vafeļu ierīces var sasniegt lielāku jaudu mazākā izmērā.

2 collu silīcija karbīda plāksnītei ir vairāki pielietojumi.
1. Spēka elektronika: SiC vafeles plaši izmanto jaudas elektroniskajās iekārtās, piemēram, jaudas pārveidotājos, invertoros un augstsprieguma slēdžos, jo tiem ir augsts pārrāvuma spriegums un zemas jaudas zudumu īpašības.

2. Elektriskie transportlīdzekļi: silīcija karbīda vafeles tiek izmantotas elektrisko transportlīdzekļu spēka elektronikā, lai uzlabotu efektivitāti un samazinātu svaru, kā rezultātā notiek ātrāka uzlāde un ilgāks braukšanas diapazons.

3. Atjaunojamā enerģija. Silīcija karbīda plāksnēm ir būtiska nozīme atjaunojamās enerģijas lietojumos, piemēram, saules invertoru un vēja enerģijas sistēmās, uzlabojot enerģijas pārveidošanas efektivitāti un uzticamību.

4. Kosmoss un aizsardzība: SiC vafeles ir būtiskas aviācijas un aizsardzības nozarē augstas temperatūras, lielas jaudas un pret radiāciju izturīgiem lietojumiem, tostarp gaisa kuģu energosistēmām un radaru sistēmām.

ZMSH nodrošina produktu pielāgošanas pakalpojumus mūsu silīcija karbīda plāksnēm. Mūsu vafeles ir izgatavotas no augstas kvalitātes silīcija karbīda slāņiem, kas iegūti no Ķīnas, lai nodrošinātu izturību un uzticamību. Klienti var izvēlēties no mūsu vafeļu izmēru un specifikāciju izvēles, lai atbilstu viņu īpašajām vajadzībām.

Mūsu silīcija karbīda vafeles ir dažādos modeļos un izmēros, modelis ir silīcija karbīds.

Mēs piedāvājam virkni virsmas apstrādes, tostarp vienpusējas/divpusējas pulēšanas ar virsmas raupjumu ≤1,2 nm un līdzenumu Lambda/10. Mēs piedāvājam arī augstas/zemas pretestības opcijas, kuras var pielāgot jūsu prasībām. Mūsu EPD ≤1E10/cm2 nodrošina, ka mūsu vafeles atbilst augstākajiem nozares standartiem.

Mēs attiecas uz katru iepakojuma detaļu, tīrīšanu, antistatisko, triecienu apstrādi. Atbilstoši produkta daudzumam un formai mēs veiksim atšķirīgu iepakošanas procesu! Gandrīz pa atsevišķām vafeļu kasetēm vai 25 gab. kasetēm 100. pakāpes tīrīšanas telpā.