GaAs lieljaudas epitaksiālās vafeļu substrāta gallija arsenīda vafeļu jaudas lāzera viļņa garums 905 nm lāzera medicīniskai ārstēšanai
GaAs lāzera epitaksiālās loksnes galvenās iezīmes ir šādas:
1.Augsta elektronu mobilitāte: Gallija arsenīdam ir augsta elektronu mobilitāte, kas padara GaAs lāzera epitaksiālās plātnes labi pielietojamas augstfrekvences ierīcēs un ātrgaitas elektroniskās ierīcēs.
2. Tiešā joslas spraugas pārejas luminiscence: kā tiešs joslas spraugas materiāls gallija arsenīds var efektīvi pārveidot elektrisko enerģiju gaismas enerģijā optoelektroniskās ierīcēs, padarot to ideāli piemērotu lāzeru ražošanai.
3. Viļņa garums: GaAs 905 lāzeri parasti darbojas pie 905 nm, tāpēc tie ir piemēroti daudziem lietojumiem, tostarp biomedicīnai.
4.Augsta efektivitāte: ar augstu fotoelektriskās pārveidošanas efektivitāti tas var efektīvi pārveidot elektrisko enerģiju lāzera izvadē.
5. Augsta jauda: ar to var sasniegt lielu jaudu un tas ir piemērots lietojuma scenārijiem, kuriem nepieciešams spēcīgs gaismas avots.
6.Laba siltuma veiktspēja: GaAs materiālam ir laba siltumvadītspēja, kas palīdz samazināt lāzera darba temperatūru un uzlabot stabilitāti.
7. Plaša regulējamība: izejas jaudu var regulēt, mainot piedziņas strāvu, lai pielāgotos dažādām lietojuma prasībām.
GaAs lāzera epitaksiālo tablešu galvenie pielietojumi ir:
1. Optiskās šķiedras komunikācija: GaAs lāzera epitaksiālo loksni var izmantot lāzeru ražošanai optiskās šķiedras komunikācijā, lai panāktu ātrgaitas un liela attāluma optisko signālu pārraidi.
2. Rūpnieciskie pielietojumi: rūpnieciskajā jomā GaAs lāzera epitaksiālās loksnes var izmantot lāzera diapazona noteikšanai, lāzera marķēšanai un citiem lietojumiem.
3. VCSEL: Vertikālās dobuma virsmas izstarojošais lāzers (VCSEL) ir svarīga GaAs lāzera epitaksiālās loksnes pielietojuma joma, ko plaši izmanto optiskajā komunikācijā, optiskajā glabāšanā un optiskajā sensorā.
4. Infrasarkanais un punktveida lauks: GaAs lāzera epitaksiālo loksni var izmantot arī infrasarkano lāzeru, punktu ģeneratoru un citu ierīču ražošanai, kam ir svarīga loma infrasarkano staru noteikšanā, gaismas displejā un citos laukos.
GaAs lāzera epitaksiālās loksnes sagatavošana galvenokārt ir atkarīga no epitaksiālās augšanas tehnoloģijas, ieskaitot metālu-organisko ķīmisko tvaiku pārklāšanu (MOCVD), molekulāro staru epitaksiālo (MBE) un citām metodēm. Šīs metodes var precīzi kontrolēt epitaksiskā slāņa biezumu, sastāvu un kristāla struktūru, lai iegūtu augstas kvalitātes GaAs lāzera epitaksiālās loksnes.
XKH piedāvā GaAs epitaksiālo lokšņu pielāgošanu dažādās struktūrās un biezumos, aptverot plašu pielietojumu klāstu optiskajos sakaros, VCSEL, infrasarkanajos un gaismas punktu laukos. XKH produkti tiek ražoti ar modernu MOCVD aprīkojumu, lai nodrošinātu augstu veiktspēju un uzticamību. Loģistikas ziņā XKH ir plašs starptautisko avotu kanālu klāsts, kas var elastīgi apstrādāt pasūtījumu skaitu un nodrošināt pievienotās vērtības pakalpojumus, piemēram, pilnveidošanu un sadalīšanu. Efektīvi piegādes procesi nodrošina piegādi laikā un atbilst klientu prasībām attiecībā uz kvalitāti un piegādes laiku. Klienti var saņemt visaptverošu tehnisko atbalstu un pēcpārdošanas pakalpojumus pēc ierašanās, lai nodrošinātu, ka produkts tiek nodots ekspluatācijā.
Detalizēta diagramma
