Monokristāliskā silīcija augšanas krāsns monokristāliskā silīcija stieņa augšanas sistēmas aprīkojuma temperatūra līdz 2100 ℃

Īss apraksts:

Monokristāliskā silīcija augšanas krāsns ir galvenais aprīkojums augstas tīrības pakāpes monokristāliskā silīcija stieņu ražošanai, ko plaši izmanto pusvadītāju un fotoelementu rūpniecībā. Monokristāliskais silīcijs ir galvenais materiāls integrālo shēmu, saules bateriju un citu elektronisku ierīču ražošanā. Monokristāliskā silīcija augšanas krāsnis pārvērš polisilīcija izejvielas augstas kvalitātes monokristāliskā silīcija stieņos, izmantojot tādas metodes kā Czochralski (CZ) Czochralski vai peldošās zonas metodi (FZ).

Pamatfunkcija: polisilīcija izejmateriāla karsēšana līdz izkusušam stāvoklim, kristālu augšanas vadīšana un kontrole caur sēklu kristāliem, veidojot monokristāliskus silīcija stieņus ar īpašu kristāla orientāciju un izmēru.

Galvenās sastāvdaļas:
Apkures sistēma: nodrošina augstas temperatūras vidi, parasti izmantojot grafīta sildītājus vai augstfrekvences indukcijas sildīšanu.

Tīģelis: izmanto, lai turētu izkausētu silīciju, parasti izgatavots no kvarca vai grafīta.

Pacelšanas sistēma: kontrolējiet sēklu kristāla rotācijas un pacelšanas ātrumu, lai nodrošinātu vienmērīgu kristāla augšanu.

Atmosfēras kontroles sistēma: kausējums ir aizsargāts no piesārņojuma ar inertām gāzēm, piemēram, argonu.

Dzesēšanas sistēma: kontrolējiet kristāla dzesēšanas ātrumu, lai samazinātu termisko stresu.

Nosūtiet mums e-pastu

Produkta informācija

Produktu etiķetes

Monokristāliskā silīcija augšanas krāsns galvenās īpašības

(1) Augstas precizitātes vadība
Temperatūras kontrole: precīzi kontrolējiet sildīšanas temperatūru (silīcija kušanas temperatūra ir aptuveni 1414 ° C), lai nodrošinātu kušanas stabilitāti.
Pacelšanas ātruma kontrole: sēklu kristāla pacelšanas ātrumu kontrolē precīzs motors (parasti 0,5-2 mm/min), kas ietekmē kristāla diametru un kvalitāti.
Rotācijas ātruma kontrole: noregulējiet sēklu un tīģeļa griešanās ātrumu, lai nodrošinātu vienmērīgu kristāla augšanu.

(2) augstas kvalitātes kristālu augšana
Zems defektu blīvums: optimizējot procesa parametrus, var audzēt monokristāliskā silīcija stieni ar zemu defektu un augstu tīrības pakāpi.
Lieli kristāli: monokristāliskos silīcija stieņus ar diametru līdz 12 collām (300 mm) var audzēt, lai apmierinātu pusvadītāju nozares vajadzības.

(3) Efektīva ražošana
Automatizēta darbība: modernās monokristāliskā silīcija augšanas krāsnis ir aprīkotas ar automatizētām vadības sistēmām, lai samazinātu manuālu iejaukšanos un uzlabotu ražošanas efektivitāti.
Energoefektīvs dizains: izmantojiet efektīvas apkures un dzesēšanas sistēmas, lai samazinātu enerģijas patēriņu.

(4) Daudzpusība
Piemērots dažādiem procesiem: atbalsta CZ metodi, FZ metodi un citu kristālu augšanas tehnoloģiju.
Savietojams ar dažādiem materiāliem: Papildus monokristāliskajam silīcijam to var izmantot arī citu pusvadītāju materiālu (piemēram, germānija, gallija arsenīda) audzēšanai.

Monokristāliskā silīcija augšanas krāsns galvenie pielietojumi

(1) Pusvadītāju rūpniecība
Integrēto shēmu ražošana: monokristāliskais silīcijs ir CPU, atmiņas un citu integrēto shēmu ražošanas pamatmateriāls.
Strāvas ierīce: izmanto MOSFET, IGBT un citu jaudas pusvadītāju ierīču ražošanai.

(2) Fotoelementu rūpniecība
Saules baterijas: monokristāliskais silīcijs ir galvenais augstas efektivitātes saules bateriju materiāls, un to plaši izmanto fotoelektriskās enerģijas ražošanā.
Fotoelektriskie moduļi: izmanto monokristāliskā silīcija fotoelektrisko moduļu ražošanai, lai uzlabotu fotoelektriskās pārveidošanas efektivitāti.

(3) Zinātniskā izpēte
Materiālu izpēte: izmanto, lai pētītu monokristāliskā silīcija fizikālās un ķīmiskās īpašības un izstrādātu jaunus pusvadītāju materiālus.
Procesa optimizācija: atbalstiet kristāla augšanas procesa jauninājumus un optimizāciju.

(4) Citas elektroniskas ierīces
Sensori: izmanto augstas precizitātes sensoru, piemēram, spiediena sensoru un temperatūras sensoru, ražošanai.
Optoelektroniskās ierīces: izmanto lāzeru un fotodetektoru ražošanai.

XKH nodrošina monokristāliskā silīcija augšanas krāsns aprīkojumu un pakalpojumus

XKH koncentrējas uz monokristāliskā silīcija augšanas krāsns iekārtu izstrādi un ražošanu, sniedzot šādus pakalpojumus:

Pielāgots aprīkojums: XKH nodrošina dažādu specifikāciju un konfigurāciju monokristāliskā silīcija augšanas krāsnis atbilstoši klientu prasībām, lai atbalstītu dažādus kristālu augšanas procesus.

Tehniskais atbalsts: XKH nodrošina klientiem pilnu procesu atbalstu no aprīkojuma uzstādīšanas un procesa optimizācijas līdz kristāla augšanas tehniskajiem norādījumiem.

Apmācību pakalpojumi: XKH nodrošina klientiem operatīvu apmācību un tehnisko apmācību, lai nodrošinātu efektīvu iekārtu darbību.

Pēcpārdošanas serviss: XKH nodrošina ātrās reaģēšanas pēcpārdošanas servisu un iekārtu apkopi, lai nodrošinātu klientu ražošanas nepārtrauktību.

Jaunināšanas pakalpojumi: XKH nodrošina aprīkojuma modernizācijas un pārveidošanas pakalpojumus atbilstoši klientu prasībām, lai uzlabotu ražošanas efektivitāti un kristāla kvalitāti.

Monokristāliskā silīcija augšanas krāsnis ir pusvadītāju un fotoelementu rūpniecības pamataprīkojums, kas nodrošina augstas precizitātes vadību, augstas kvalitātes kristālu augšanu un efektīvu ražošanu. To plaši izmanto integrālo shēmu, saules bateriju, zinātnisko pētījumu un elektronisko ierīču jomās. XKH nodrošina uzlabotas monokristāliskā silīcija augšanas krāsns iekārtas un pilnu pakalpojumu klāstu, lai palīdzētu klientiem sasniegt augstas kvalitātes monokristāliskā silīcija stieņu mēroga ražošanu, lai palīdzētu attīstīt saistītās nozares.