Monokristāliskā silīcija augšanas krāsns monokristāliskā silīcija stieņu augšanas sistēmas iekārtas temperatūra līdz 2100 ℃

Īss apraksts:

Monokristāliskā silīcija audzēšanas krāsns ir galvenā iekārta augstas tīrības pakāpes monokristāliska silīcija stieņu ražošanai, kurus plaši izmanto pusvadītāju un fotoelektrisko elementu rūpniecībā. Monokristāliskais silīcijs ir pamatmateriāls integrēto shēmu, saules bateriju un citu elektronisko ierīču ražošanā. Monokristāliskā silīcija audzēšanas krāsnis pārveido polikristāliskā silīcija izejvielas augstas kvalitātes monokristāliska silīcija stieņos, izmantojot tādas metodes kā Čochraļskis (CZ) vai peldošās zonas metode (FZ).

Galvenā funkcija: polikristāliskā silīcija izejmateriāla uzkarsēšana līdz izkausētam stāvoklim, kristālu augšanas vadīšana un kontrole caur sēklas kristāliem, lai veidotu monokristāliskus silīcija stieņus ar noteiktu kristālu orientāciju un izmēru.

Galvenās sastāvdaļas:
Apkures sistēma: Nodrošina augstas temperatūras vidi, parasti izmantojot grafīta sildītājus vai augstfrekvences indukcijas sildīšanu.

Tīģelis: Izmanto, lai saturētu izkausētu silīciju, parasti izgatavots no kvarca vai grafīta.

Pacelšanas sistēma: kontrolējiet sēklas kristāla rotāciju un pacelšanas ātrumu, lai nodrošinātu vienmērīgu kristāla augšanu.

Atmosfēras kontroles sistēma: kausējumu no piesārņojuma aizsargā inertas gāzes, piemēram, argons.

Dzesēšanas sistēma: kontrolējiet kristāla dzesēšanas ātrumu, lai samazinātu termisko spriegumu.

Sūtiet mums e-pastu

Funkcijas

Monokristāliskā silīcija augšanas krāsns galvenās īpašības

(1) Augstas precizitātes vadība
Temperatūras kontrole: precīzi kontrolējiet sildīšanas temperatūru (silīcija kušanas temperatūra ir aptuveni 1414 °C), lai nodrošinātu kausējuma stabilitāti.
Pacelšanas ātruma kontrole: sēklas kristāla pacelšanas ātrumu kontrolē precīzijas motors (parasti 0,5–2 mm/min), kas ietekmē kristāla diametru un kvalitāti.
Rotācijas ātruma kontrole: Pielāgojiet sēklas un tīģeļa rotācijas ātrumu, lai nodrošinātu vienmērīgu kristālu augšanu.

(2) augstas kvalitātes kristālu augšana
Zems defektu blīvums: optimizējot procesa parametrus, var audzēt monokristālisku silīcija stieņus ar zemu defektu līmeni un augstu tīrības pakāpi.
Lieli kristāli: pusvadītāju rūpniecības vajadzību apmierināšanai var audzēt monokristāliskus silīcija stieņus ar diametru līdz 12 collām (300 mm).

(3) Efektīva ražošana
Automatizēta darbība: Mūsdienu monokristāliskā silīcija augšanas krāsnis ir aprīkotas ar automatizētām vadības sistēmām, lai samazinātu manuālu iejaukšanos un uzlabotu ražošanas efektivitāti.
Energoefektīvs dizains: izmantojiet efektīvas apkures un dzesēšanas sistēmas, lai samazinātu enerģijas patēriņu.

(4) Daudzpusība
Piemērots dažādiem procesiem: atbalsta CZ metodi, FZ metodi un citas kristālu augšanas tehnoloģijas.
Savietojams ar dažādiem materiāliem: Papildus monokristāliskajam silīcijam to var izmantot arī citu pusvadītāju materiālu (piemēram, germānija, gallija arsenīda) audzēšanai.

Monokristāliskā silīcija augšanas krāsns galvenie pielietojumi

(1) Pusvadītāju rūpniecība
Integrēto shēmu ražošana: monokristālisks silīcijs ir galvenais materiāls procesoru, atmiņas un citu integrēto shēmu ražošanai.
Jaudas ierīce: Izmanto MOSFET, IGBT un citu jaudas pusvadītāju ierīču ražošanai.

(2) Fotoelektriskā rūpniecība
Saules baterijas: monokristālisks silīcijs ir galvenais augstas efektivitātes saules bateriju materiāls, un to plaši izmanto fotoelektriskās enerģijas ražošanā.
Fotoelektriskie moduļi: izmanto monokristālisko silīcija fotoelektrisko moduļu ražošanai, lai uzlabotu fotoelektriskās konversijas efektivitāti.

(3) Zinātniskā pētniecība
Materiālu izpēte: Izmanto, lai pētītu monokristāliskā silīcija fizikālās un ķīmiskās īpašības un izstrādātu jaunus pusvadītāju materiālus.
Procesa optimizācija: Atbalstiet kristālu augšanas procesa inovāciju un optimizāciju.

(4) Citas elektroniskas ierīces
Sensori: Izmanto augstas precizitātes sensoru, piemēram, spiediena sensoru un temperatūras sensoru, ražošanai.
Optoelektroniskās ierīces: izmanto lāzeru un fotodetektoru ražošanā.

XKH nodrošina monokristāliskā silīcija augšanas krāsns aprīkojumu un pakalpojumus

XKH koncentrējas uz monokristāliskā silīcija augšanas krāšņu iekārtu izstrādi un ražošanu, sniedzot šādus pakalpojumus:

Pielāgots aprīkojums: XKH nodrošina dažādu specifikāciju un konfigurāciju monokristāliskā silīcija augšanas krāsnis atbilstoši klientu prasībām, lai atbalstītu dažādus kristālu augšanas procesus.

Tehniskais atbalsts: XKH nodrošina klientiem pilnu procesu atbalstu, sākot no iekārtu uzstādīšanas un procesu optimizācijas līdz kristālu augšanas tehniskajām vadlīnijām.

Apmācības pakalpojumi: XKH nodrošina klientiem operatīvo un tehnisko apmācību, lai nodrošinātu iekārtu efektīvu darbību.

Pēcpārdošanas serviss: XKH nodrošina ātras reaģēšanas pēcpārdošanas servisu un iekārtu apkopi, lai nodrošinātu klientu ražošanas nepārtrauktību.

Jaunināšanas pakalpojumi: XKH nodrošina iekārtu jaunināšanas un pārveidošanas pakalpojumus atbilstoši klientu prasībām, lai uzlabotu ražošanas efektivitāti un kristālu kvalitāti.

Monokristāliskā silīcija audzēšanas krāsnis ir pusvadītāju un fotoelektrisko elementu rūpniecības pamataprīkojums, kam raksturīga augstas precizitātes vadība, augstas kvalitātes kristālu audzēšana un efektīva ražošana. Tās plaši izmanto integrēto shēmu, saules bateriju, zinātniskās pētniecības un elektronisko ierīču jomā. XKH nodrošina modernu monokristāliskā silīcija audzēšanas krāšņu aprīkojumu un pilnu pakalpojumu klāstu, lai atbalstītu klientus augstas kvalitātes monokristāliskā silīcija stieņu ražošanā, tādējādi veicinot saistīto nozaru attīstību.