Pēdējos gados, nepārtraukti izplatoties pakārtotajiem lietojumiem, piemēram, jauniem enerģijas transportlīdzekļiem, fotoelementu enerģijas ražošanai un enerģijas uzglabāšanai, SiC kā jaunam pusvadītāju materiālam šajās jomās ir svarīga loma.Saskaņā ar Yole Intelligence Power SiC tirgus ziņojumu, kas tika publicēts 2023. gadā, tiek prognozēts, ka līdz 2028. gadam enerģijas SiC ierīču pasaules tirgus apjoms sasniegs gandrīz 9 miljardus ASV dolāru, kas nozīmē pieaugumu par aptuveni 31% salīdzinājumā ar 2022. gadu. Kopējais SiC tirgus apjoms. pusvadītāji uzrāda vienmērīgu paplašināšanās tendenci.
Starp daudziem tirgus pielietojumiem dominē jauni enerģijas transportlīdzekļi ar 70% tirgus daļu.Pašlaik Ķīna ir kļuvusi par pasaulē lielāko jaunu enerģijas transportlīdzekļu ražotāju, patērētāju un eksportētāju.Saskaņā ar “Nikkei Asian Review” 2023. gadā, pateicoties jauniem enerģijas transportlīdzekļiem, Ķīnas automobiļu eksports pirmo reizi pārsniedza Japānu, padarot Ķīnu par pasaulē lielāko automobiļu eksportētāju.
Saskaroties ar plaukstošo tirgus pieprasījumu, Ķīnas SiC nozare paver būtisku attīstības iespēju.
Kopš Valsts padomes 2016. gada jūlijā publiskoja Valsts padomes "Trīspadsmito piecgadu plānu" valsts zinātnes un tehnoloģiju inovācijām, trešās paaudzes pusvadītāju mikroshēmu izstrāde ir saņēmusi lielu valdības uzmanību un saņēmusi pozitīvas atbildes un plašu atbalstu. dažādos reģionos.Līdz 2021. gada augustam Rūpniecības un informācijas tehnoloģiju ministrija (MIIT) trešās paaudzes pusvadītājus iekļāva "Četrpadsmitajā piecu gadu plānā" rūpniecības zinātnes un tehnoloģiju inovāciju attīstībai, ieviešot turpmāku impulsu vietējā SiC tirgus izaugsmei.
Gan tirgus pieprasījuma, gan politikas vadīti, vietējie SiC nozares projekti parādās strauji kā sēnes pēc lietus, radot plašu attīstības situāciju.Saskaņā ar mūsu nepilnīgo statistiku, šobrīd ar SiC saistīti būvniecības projekti ir izvietoti vismaz 17 pilsētās.Tostarp Dzjansu, Šanhaja, Šanduna, Džedzjana, Guanduna, Hunaņa, Fudzjana un citi reģioni ir kļuvuši par nozīmīgiem SiC nozares attīstības centriem.Jo īpaši ar jauno ReTopTech projektu, kas tiek nodots ražošanā, tas vēl vairāk nostiprinās visu vietējās trešās paaudzes pusvadītāju nozares ķēdi, īpaši Guandungā.
Nākamais ReTopTech izkārtojums ir 8 collu SiC substrāts.Lai gan pašlaik tirgū dominē 6 collu SiC substrāti, izmaksu samazināšanas apsvērumu dēļ nozares attīstības tendence pakāpeniski virzās uz 8 collu substrātiem.Saskaņā ar GTAT prognozēm, sagaidāms, ka 8 collu substrātu izmaksas samazināsies par 20% līdz 35%, salīdzinot ar 6 collu substrātiem.Pašlaik labi zināmi SiC ražotāji, piemēram, Wolfspeed, ST, Coherent, Soitec, Sanan, Taike Tianrun un Xilinx Integration, gan vietējie, gan starptautiskie, ir sākuši pakāpeniski pāriet uz 8 collu substrātiem.
Šajā kontekstā ReTopTech plāno nākotnē izveidot Liela izmēra kristālu augšanas un epitaksijas tehnoloģiju pētniecības un attīstības centru.Uzņēmums sadarbosies ar vietējām galvenajām laboratorijām, lai iesaistītos sadarbībā instrumentu un iekārtu koplietošanā un materiālu izpētē.Turklāt ReTopTech plāno stiprināt inovāciju sadarbību kristālu apstrādes tehnoloģiju jomā ar lielākajiem iekārtu ražotājiem un iesaistīties kopīgās inovācijās ar vadošajiem pakārtotajiem uzņēmumiem automobiļu ierīču un moduļu pētniecībā un attīstībā.Šo pasākumu mērķis ir uzlabot Ķīnas pētniecības un attīstības un industrializācijas ražošanas tehnoloģiju līmeni 8 collu substrāta platformu jomā.
Trešās paaudzes pusvadītāji, kuru galvenais pārstāvis ir SiC, ir vispārēji atzīts par vienu no daudzsološākajām apakšnozarēm visā pusvadītāju nozarē.Ķīnai ir pilnīgas rūpnieciskās ķēdes priekšrocības trešās paaudzes pusvadītāju jomā, kas aptver iekārtas, materiālus, ražošanu un lietojumus, un tas var radīt globālu konkurētspēju.
Publicēšanas laiks: 08.04.2024