SiC vafeles ir pusvadītāji, kas izgatavoti no silīcija karbīda.Šis materiāls tika izstrādāts 1893. gadā un ir ideāli piemērots dažādiem lietojumiem.Īpaši piemērots Schottky diodēm, savienojuma barjeras Schottky diodēm, slēdžiem un metāla oksīda pusvadītāju lauka efekta tranzistoriem.Pateicoties augstajai cietībai, tā ir lieliska izvēle jaudas elektroniskām sastāvdaļām.
Pašlaik ir divi galvenie SiC vafeļu veidi.Pirmā ir pulēta vafele, kas ir viena silīcija karbīda vafele.Tas ir izgatavots no augstas tīrības pakāpes SiC kristāliem un var būt 100 mm vai 150 mm diametrā.To izmanto lieljaudas elektroniskajās ierīcēs.Otrs veids ir epitaksiālā kristāla silīcija karbīda vafele.Šāda veida vafeles tiek izgatavotas, virsmai pievienojot vienu silīcija karbīda kristālu slāni.Šī metode prasa precīzu materiāla biezuma kontroli, un to sauc par N-veida epitaksiju.
Nākamais veids ir beta silīcija karbīds.Beta SiC tiek ražots temperatūrā virs 1700 grādiem pēc Celsija.Alfa karbīdi ir visizplatītākie, un tiem ir sešstūra kristāla struktūra, kas ir līdzīga vurcītam.Beta forma ir līdzīga dimantam un tiek izmantota dažās lietojumprogrammās.Tā vienmēr ir bijusi pirmā izvēle elektrisko transportlīdzekļu jaudas pusfabrikātiem.Vairāki trešo pušu silīcija karbīda vafeļu piegādātāji pašlaik strādā pie šī jaunā materiāla.
ZMSH SiC vafeles ir ļoti populāri pusvadītāju materiāli.Tas ir augstas kvalitātes pusvadītāju materiāls, kas ir labi piemērots daudziem lietojumiem.ZMSH silīcija karbīda vafeles ir ļoti noderīgs materiāls dažādām elektroniskām ierīcēm.ZMSH piegādā plašu augstas kvalitātes SiC vafeļu un substrātu klāstu.Tie ir pieejami N-veida un daļēji izolētā veidā.
2 --- Silīcija karbīds: ceļā uz jaunu vafeļu laikmetu
Silīcija karbīda fizikālās īpašības un īpašības
Silīcija karbīdam ir īpaša kristāla struktūra, izmantojot sešstūrainu cieši iesaiņotu struktūru, kas ir līdzīga dimantam.Šī struktūra nodrošina silīcija karbīdam izcilu siltumvadītspēju un augstas temperatūras izturību.Salīdzinot ar tradicionālajiem silīcija materiāliem, silīcija karbīdam ir lielāks joslas spraugas platums, kas nodrošina lielāku elektronu joslu atstarpi, kā rezultātā palielinās elektronu mobilitāte un mazāka noplūdes strāva.Turklāt silīcija karbīdam ir arī lielāks elektronu piesātinājuma novirzes ātrums un zemāka paša materiāla pretestība, nodrošinot labāku veiktspēju lielas jaudas lietojumiem.
Silīcija karbīda vafeļu pielietošanas gadījumi un perspektīvas
Spēka elektronikas lietojumprogrammas
Silīcija karbīda plāksnītei ir plašas pielietojuma iespējas jaudas elektronikas jomā.Pateicoties to augstajai elektronu mobilitātei un lieliskajai siltumvadītspējai, SIC vafeles var izmantot, lai ražotu lielas jaudas blīvuma komutācijas ierīces, piemēram, jaudas moduļus elektriskajiem transportlīdzekļiem un saules enerģijas invertorus.Silīcija karbīda vafeļu augstās temperatūras stabilitāte ļauj šīm ierīcēm darboties augstas temperatūras vidē, nodrošinot lielāku efektivitāti un uzticamību.
Optoelektroniskās lietojumprogrammas
Optoelektronisko ierīču jomā silīcija karbīda vafeles parāda savas unikālās priekšrocības.Silīcija karbīda materiālam ir plašas joslas atstarpes īpašības, kas ļauj sasniegt augstu fotonu enerģiju un mazu gaismas zudumu optoelektroniskajās ierīcēs.Silīcija karbīda vafeles var izmantot ātrgaitas sakaru ierīču, fotodetektoru un lāzeru sagatavošanai.Tā lieliskā siltumvadītspēja un zemais kristāla defektu blīvums padara to ideāli piemērotu augstas kvalitātes optoelektronisko ierīču sagatavošanai.
Outlook
Pieaugot pieprasījumam pēc augstas veiktspējas elektroniskām ierīcēm, silīcija karbīda plāksnēm ir daudzsološa nākotne kā materiālam ar izcilām īpašībām un plašu pielietojuma potenciālu.Nepārtraukti uzlabojot sagatavošanas tehnoloģiju un samazinot izmaksas, tiks veicināta silīcija karbīda vafeļu komerciāla izmantošana.Paredzams, ka tuvāko gadu laikā silīcija karbīda vafeles pakāpeniski ienāks tirgū un kļūs par galveno izvēli lielas jaudas, augstas frekvences un augstas temperatūras lietojumiem.
3 ---SiC vafeļu tirgus un tehnoloģiju tendenču padziļināta analīze
Silīcija karbīda (SiC) vafeļu tirgus virzītāju padziļināta analīze
Silīcija karbīda (SiC) plāksnīšu tirgus izaugsmi ietekmē vairāki galvenie faktori, un šo faktoru ietekmes uz tirgu padziļināta analīze ir ļoti svarīga.Šeit ir daži no galvenajiem tirgus virzītājspēkiem:
Enerģijas taupīšana un vides aizsardzība: Silīcija karbīda materiālu augstā veiktspēja un zemā enerģijas patēriņa īpašības padara to populāru enerģijas taupīšanas un vides aizsardzības jomā.Pieprasījums pēc elektriskajiem transportlīdzekļiem, saules enerģijas invertoriem un citām enerģijas pārveidošanas ierīcēm veicina silīcija karbīda vafeļu tirgus izaugsmi, jo tas palīdz samazināt enerģijas izšķērdēšanu.
Jaudas elektronikas lietojumi: silīcija karbīds ir izcils spēka elektronikas lietojumos, un to var izmantot spēka elektronikā augsta spiediena un augstas temperatūras vidē.Līdz ar atjaunojamās enerģijas popularizēšanu un elektroenerģijas pārejas veicināšanu, pieprasījums pēc silīcija karbīda plāksnēm spēka elektronikas tirgū turpina pieaugt.
SiC vafeļu nākotnes ražošanas tehnoloģiju attīstības tendenču detalizēta analīze
Masveida ražošana un izmaksu samazināšana: nākotnes SiC vafeļu ražošana vairāk koncentrēsies uz masveida ražošanu un izmaksu samazināšanu.Tas ietver uzlabotus augšanas paņēmienus, piemēram, ķīmisko tvaiku pārklāšanu (CVD) un fizikālo tvaiku pārklāšanu (PVD), lai palielinātu produktivitāti un samazinātu ražošanas izmaksas.Turklāt ir sagaidāms, ka viedo un automatizēto ražošanas procesu ieviešana vēl vairāk uzlabos efektivitāti.
Jauns vafeļu izmērs un struktūra: SiC vafeļu izmērs un struktūra nākotnē var mainīties, lai apmierinātu dažādu lietojumu vajadzības.Tas var ietvert lielāka diametra vafeles, neviendabīgas struktūras vai daudzslāņu plāksnes, lai nodrošinātu lielāku dizaina elastību un veiktspējas iespējas.
Energoefektivitāte un zaļā ražošana: SiC vafeļu ražošana nākotnē liks lielāku uzsvaru uz energoefektivitāti un zaļo ražošanu.Rūpnīcas, kuras darbina ar atjaunojamo enerģiju, zaļajiem materiāliem, atkritumu pārstrādi un zemu oglekļa emisiju ražošanas procesiem, kļūs par ražošanas tendencēm.
Izlikšanas laiks: 19. janvāris 2024. gada laikā