Produkti
-
SiC keramikas gala efektora apstrādes roka vafeļu pārnēsāšanai
-
4 collu 6 collu 8 collu SiC kristālu augšanas krāsns CVD procesam
-
6 collu 4H SEMI tipa SiC kompozītmateriāla substrāts Biezums 500 μm TTV≤5 μm MOS pakāpe
-
Pielāgotas formas safīra optisko logu safīra komponenti ar precīzu pulēšanu
-
SiC keramikas plāksne/paplāte 4 collu un 6 collu vafeļu turētājam ICP
-
Pielāgotas formas safīra logs ar augstu cietību viedtālruņu ekrāniem
-
12 collu SiC substrāta N tipa liela izmēra augstas veiktspējas RF lietojumprogrammas
-
Pielāgots N tipa SiC sēklu substrāts Dia153/155mm jaudas elektronikai
-
Vafeļu retināšanas iekārtas 4 collu–12 collu safīra/SiC/Si vafeļu apstrādei
-
12 collu SiC substrāts Diametrs 300 mm Biezums 750 μm 4H-N Tips var tikt pielāgots
-
Pielāgoti SiC sēklu kristāla substrāti Dia 205/203/208 4H-N tips optiskajām komunikācijām
-
Pielāgotas formas safīra optiskie logi, monokristāls Al₂O₃, nodilumizturīgi, pielāgoti izmēri vai forma