Sic optiskā lēca 6SP 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI pielāgots izmērs

1. Augsts refrakcijas indekss un plašs caurlaidības logs: SiC optiskās lēcas demonstrē izcilu optisko veiktspēju ar refrakcijas indeksu aptuveni 2,6–2,7 visā to darbības spektrā. Šis plašais caurlaidības logs (600–1850 nm) aptver gan redzamos, gan tuvos infrasarkanos apgabalus, padarot tās īpaši vērtīgas daudzspektrālo attēlveidošanas sistēmās un platjoslas optiskajos lietojumos. Materiāla zemais absorbcijas koeficients šajos diapazonos nodrošina minimālu signāla vājināšanos pat lieljaudas lāzera lietojumos.

2. Izcilas nelineāras optiskās īpašības: silīcija karbīda unikālā kristāliskā struktūra piešķir tam ievērojamus nelineārus optiskos koeficientus (χ(2) ≈ 15 pm/V, χ(3) ≈ 10-20 m2/V2), kas nodrošina efektīvus frekvences pārveidošanas procesus. Šīs īpašības tiek aktīvi izmantotas modernās lietojumprogrammās, piemēram, optiskajos parametriskajos oscilatoros, īpaši ātrās lāzersistēmās un pilnībā optiskās signālu apstrādes ierīcēs. Materiāla augstais bojājumu slieksnis (>5 GW/cm2) vēl vairāk palielina tā piemērotību augstas intensitātes lietojumprogrammām.

3. Mehāniskā un termiskā stabilitāte: Ar elastības moduli, kas tuvojas 400 GPa, un siltumvadītspēju, kas pārsniedz 300 W/m·K, SiC optiskie komponenti saglabā izcilu stabilitāti mehāniskās slodzes un termisko ciklu apstākļos. Īpaši zemais termiskās izplešanās koeficients (4,0 × 10-6/K) nodrošina minimālu fokusa nobīdi temperatūras svārstību gadījumā, kas ir būtiska priekšrocība precīzām optiskajām sistēmām, kas darbojas mainīgā termiskā vidē, piemēram, kosmosa lietojumos vai rūpnieciskās lāzerapstrādes iekārtās.

4. Kvantu īpašības: 4H-SiC un 6H-SiC polipu silīcija vakanču (VSi) un divakanču (VSiVC) krāsu centri uzrāda optiski adresējamus spina stāvokļus ar ilgu koherences laiku istabas temperatūrā. Šie kvantu emitētāji tiek integrēti mērogojamos kvantu tīklos un ir īpaši daudzsološi istabas temperatūras kvantu sensoru un kvantu atmiņas ierīču izstrādei fotoniskās kvantu skaitļošanas arhitektūrās.

5. CMOS saderība: SiC saderība ar standarta pusvadītāju ražošanas procesiem nodrošina tiešu monolītu integrāciju ar silīcija fotonikas platformām. Tas ļauj izveidot hibrīdas fotoniski elektroniskas sistēmas, apvienojot SiC optiskās priekšrocības ar silīcija elektronisko funkcionalitāti, paverot jaunas iespējas mikroshēmu sistēmu projektēšanai optisko skaitļošanas un sensoru lietojumprogrammās.