Substrāts
-
200 mm SiC substrāta fiktīvas kvalitātes 4H-N 8 collu SiC vafele
-
FZ CZ Si vafele noliktavā 12 collu silīcija vafele Prime vai Test
-
4H-N Dia205mm SiC sēklas no Ķīnas P un D kategorijas monokristāliskā
-
8 collu silīcija vafele P/N-tipa (100) 1-100Ω fiktīva reģenerācijas substrāts
-
Dia150mm 4h-n 6 collu sic substrāta ražošana un fiktīva pakāpe
-
-
4 collu sic epi vafele MOS vai SBD
-
4 collu silīcija vafele FZ CZ N-Type DSP vai SSP testa klase
-
2 collu sic ingot dia50.8mmx10mmt 4h-n monokristāls
-
4 collu SiC vafeles 6H daļēji izolējoši SiC substrāti, kas izgatavoti, izpētē un fiktīvi.
-
6 collu HPSI SiC substrāta vafeles silīcija karbīda daļēji izolējošas SiC vafeles
-
4 collu daļēji izolējošas SiC vafeles HPSI SiC substrāts Prime Production grade