4 collu daļēji izolējošas SiC vafeles HPSI SiC substrāts Prime Production grade

Īss apraksts:

4 collu augstas tīrības pakāpes daļēji izolēta silīcija karbīda abpusējā pulēšanas plāksne galvenokārt tiek izmantota 5G sakaru un citās jomās, un tās priekšrocības ir radiofrekvenču diapazona uzlabošana, īpaši liela attāluma atpazīšana, prettraucējumi, ātrgaitas. , lielas ietilpības informācijas pārraidei un citiem lietojumiem, un tas tiek uzskatīts par ideālu substrātu mikroviļņu enerģijas ierīču izgatavošanai.

Nosūtiet mums e-pastu

Produkta informācija

Produktu etiķetes

Produkta specifikācija

Silīcija karbīds (SiC) ir salikts pusvadītāju materiāls, kas sastāv no oglekļa un silīcija elementiem, un tas ir viens no ideāliem materiāliem augstas temperatūras, augstfrekvences, lieljaudas un augstsprieguma ierīču izgatavošanai.Salīdzinot ar tradicionālo silīcija materiālu (Si), silīcija karbīda aizliegtais joslas platums ir trīs reizes lielāks nekā silīcija;siltumvadītspēja ir 4-5 reizes lielāka nekā silīcija;pārrāvuma spriegums ir 8-10 reizes lielāks nekā silīcija;un elektronu piesātinājuma novirzes ātrums ir 2–3 reizes lielāks nekā silīcijam, kas atbilst mūsdienu rūpniecības vajadzībām pēc lieljaudas, augstsprieguma un augstfrekvences, un to galvenokārt izmanto ātrgaitas, augstas frekvences, lieljaudas un gaismu izstarojoši elektroniskie komponenti, un to pakārtotās pielietojuma jomas ir viedais tīkls, jaunas enerģijas transportlīdzekļi, fotoelementu vēja enerģija, 5G sakari utt. Spēka ierīču jomā ir sākuši izplatīties silīcija karbīda diodes un MOSFET. komerciāli piemēroti.

SiC vafeļu/SiC substrāta priekšrocības

Augstas temperatūras izturība.Silīcija karbīda aizliegtais joslas platums ir 2–3 reizes lielāks nekā silīcijam, tāpēc elektroniem ir mazāka iespēja lēkt augstās temperatūrās un tie var izturēt augstāku darba temperatūru, un silīcija karbīda siltumvadītspēja ir 4–5 reizes lielāka nekā silīcijam, tādējādi vieglāk izkliedēt siltumu no ierīces un nodrošināt augstāku ierobežojošo darba temperatūru.Augstas temperatūras raksturlielumi var ievērojami palielināt jaudas blīvumu, vienlaikus samazinot prasības siltuma izkliedes sistēmai, padarot termināli vieglāku un miniaturizētu.

Augstsprieguma pretestība.Silīcija karbīda sabrukšanas lauka stiprums ir 10 reizes lielāks nekā silīcijam, ļaujot tam izturēt augstāku spriegumu, padarot to piemērotāku augstsprieguma ierīcēm.

Augstas frekvences pretestība.Silīcija karbīdam ir divas reizes lielāks piesātinājuma elektronu novirzes ātrums nekā silīcijam, kā rezultātā tā ierīces izslēgšanas procesā nepastāv pašreizējā vilkšanas fenomenā, var efektīvi uzlabot ierīces pārslēgšanas frekvenci, lai panāktu ierīces miniaturizāciju.

Zems enerģijas zudums.Silīcija karbīdam ir ļoti zema pretestība pret silīcija materiāliem, zems vadītspējas zudums;tajā pašā laikā silīcija karbīda lielais joslas platums ievērojami samazina noplūdes strāvu, jaudas zudumu;Turklāt silīcija karbīda ierīces izslēgšanas procesā nepastāv pašreizējā vilkšanas fenomenā, zems pārslēgšanas zudums.