4 collu SiC vafeles 6H daļēji izolējoši SiC substrāti, kas izgatavoti, izpētē un fiktīvi.

4 collu SiC vafeles 6 H daļēji izolējoši SiC substrāti, pirmie, izpētes un fiktīvas kvalitātes piedāvātie attēli

Īss apraksts:

Daļēji izolētu silīcija karbīda substrātu veido griešanas, slīpēšanas, pulēšanas, tīrīšanas un citas apstrādes tehnoloģijas pēc daļēji izolēta silīcija karbīda kristāla augšanas.Uz substrāta tiek audzēts slānis vai daudzslāņu kristāla slānis, kas atbilst kvalitātes prasībām kā epitaksija, un pēc tam tiek izgatavota mikroviļņu RF ierīce, apvienojot shēmas dizainu un iepakojumu.Pieejams kā 2 collu 3 collu 4 collu 6 collu 8 collu rūpnieciskās, pētniecības un testa kvalitātes daļēji izolēti silīcija karbīda monokristāla substrāti.

Nosūtiet mums e-pastu

Produkta informācija

Produktu etiķetes

Produkta specifikācija

Novērtējums			Nulles MPD ražošanas pakāpe (Z pakāpe)			Standarta ražošanas pakāpe (P pakāpe)		Manekena pakāpe (D pakāpe)
Diametrs			99,5 mm ~ 100,0 mm
	4H-SI		500 μm±20 μm			500 μm±25 μm
Vafeļu orientācija			Ārpusass: 4,0° virzienā uz < 1120 > ±0,5° 4H-N, uz ass: <0001>±0,5° 4H-SI
	4H-SI		≤ 1 cm^-2			≤5 cm^-2		≤15 cm^-2
	4H-SI		≥1E9 Ω·cm					≥1E5 Ω·cm
Primārā plakanā orientācija		{10-10} ±5,0°
Primārais plakanais garums		32,5 mm±2,0 mm
Sekundārais plakanais garums		18,0 mm±2,0 mm
Sekundārā plakanā orientācija		Silīcija virsma: 90° CW.no Prime flat ±5,0°
Malu izslēgšana		3 mm
LTV/TTV/Bow/Warp		≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm						≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Nelīdzenums			C seja				poļu		Ra≤1 nm
			Si seja	CMP	Ra≤0,2 nm					Ra≤0,5 nm
Malu plaisas ar augstas intensitātes gaismu		Nav						Kopējais garums ≤ 10 mm, viens garums ≤ 2 mm
Hex plāksnes ar augstas intensitātes gaismu		kumulatīvā platība ≤0,05%						kumulatīvā platība ≤0,1%
Politipa zonas ar augstas intensitātes gaismu		Nav						kumulatīvā platība≤3%
Vizuālie oglekļa ieslēgumi		kumulatīvā platība ≤0,05%						kumulatīvā platība ≤3%
Silīcija virsmas skrāpējumi ar augstas intensitātes gaismu		Nav						Kumulatīvais garums≤1＊vafeles diametrs
Malas mikroshēmas ir augstas ar gaismas intensitāti		Nav atļauts ≥0,2 mm platums un dziļums						Atļauti 5, katrs ≤1 mm
Silīcija virsmas piesārņojums ar augstu intensitāti		Nav
Iepakojums		Vairāku vafeļu kasešu vai vienas vafeļu konteiners