Liels izrāviens 12 collu silīcija karbīda vafeļu lāzera pacelšanas tehnoloģijā

Satura rādītājs

1. Liels sasniegums 12 collu silīcija karbīda vafeļu lāzera pacelšanas tehnoloģijā

2. Tehnoloģisko sasniegumu daudzējā nozīme SiC rūpniecības attīstībā

3. Nākotnes perspektīvas: XKH visaptverošā attīstības un nozares sadarbība

Nesen vadošais vietējais pusvadītāju iekārtu ražotājs Beijing Jingfei Semiconductor Technology Co., Ltd. ir panācis ievērojamu izrāvienu silīcija karbīda (SiC) plākšņu apstrādes tehnoloģijā. Uzņēmumam veiksmīgi izdevās pacelt 12 collu silīcija karbīda plāksnītes, izmantojot savu neatkarīgi izstrādāto lāzera pacelšanas iekārtu. Šis izrāviens ir svarīgs solis Ķīnai trešās paaudzes pusvadītāju atslēgu ražošanas iekārtu jomā un piedāvā jaunu risinājumu izmaksu samazināšanai un efektivitātes uzlabošanai globālajā silīcija karbīda nozarē. Šo tehnoloģiju iepriekš ir apstiprinājuši vairāki klienti 6/8 collu silīcija karbīda jomā, un iekārtu veiktspēja ir sasniegusi starptautiski progresīvu līmeni.

Šim tehnoloģiskajam sasniegumam ir vairākas nozīmes silīcija karbīda nozares attīstībā, tostarp:

1. Ievērojama ražošanas izmaksu samazināšana:Salīdzinot ar ierastajām 6 collu silīcija karbīda plāksnēm, 12 collu silīcija karbīda plāksnītes palielina pieejamo laukumu aptuveni četras reizes, samazinot mikroshēmas vienības izmaksas par 30–40 %.

2. Palielināta nozares piegādes jauda:Tas risina tehniskās problēmas liela izmēra silīcija karbīda vafeļu apstrādē, nodrošinot iekārtu atbalstu silīcija karbīda ražošanas jaudu globālai paplašināšanai.

3. Paātrināts lokalizācijas aizstāšanas process:Tas pārtrauc ārvalstu uzņēmumu tehnoloģisko monopolu liela izmēra silīcija karbīda apstrādes iekārtu jomā, sniedzot svarīgu atbalstu Ķīnas pusvadītāju iekārtu autonomai un kontrolējamai attīstībai.

4. Lejupvērsto lietojumprogrammu popularizēšanas veicināšana:Izmaksu samazināšana paātrinās silīcija karbīda ierīču pielietošanu tādās galvenajās jomās kā jauni enerģijas transportlīdzekļi un atjaunojamā enerģija.

Beijing Jingfei Semiconductor Technology Co., Ltd. ir Ķīnas Zinātņu akadēmijas Pusvadītāju institūta uzņēmums, kas koncentrējas uz specializētu pusvadītāju iekārtu pētniecību un attīstību, ražošanu un pārdošanu. Uzņēmums, kura pamatā ir lāzera pielietošanas tehnoloģija, ir izstrādājis virkni pusvadītāju apstrādes iekārtu ar neatkarīgām intelektuālā īpašuma tiesībām, apkalpojot galvenos vietējos pusvadītāju ražošanas klientus.

Jingfei Semiconductor izpilddirektors paziņoja: “Mēs vienmēr ievērojam tehnoloģiskās inovācijas, lai veicinātu rūpniecības progresu. 12 collu silīcija karbīda lāzera pacelšanas tehnoloģijas veiksmīgā izstrāde ne tikai atspoguļo uzņēmuma tehniskās iespējas, bet arī ir guvusi labumu no Pekinas Pašvaldības Zinātnes un tehnoloģiju komisijas, Ķīnas Zinātņu akadēmijas Pusvadītāju institūta un galvenā īpašā projekta “Revolucionārās tehnoloģiskās inovācijas”, ko organizē un īsteno Pekinas-Tjaņdzjiņas-Hebei Nacionālais tehnoloģisko inovāciju centrs, spēcīgā atbalsta. Nākotnē mēs turpināsim palielināt ieguldījumus pētniecībā un attīstībā, lai nodrošinātu klientiem vairāk augstas kvalitātes pusvadītāju iekārtu risinājumu.”

Secinājums

Raugoties nākotnē, XKH izmantos savu plašo silīcija karbīda substrātu produktu portfeli (aptverot 2 līdz 12 collas ar savienošanas un pielāgotām apstrādes iespējām) un daudzmateriālu tehnoloģiju (tostarp 4H-N, 4H-SEMI, 4H-6H/P, 3C-N utt.), lai aktīvi reaģētu uz tehnoloģisko attīstību un tirgus izmaiņām SiC nozarē. Nepārtraukti uzlabojot vafeļu ražību, samazinot ražošanas izmaksas un padziļinot sadarbību ar pusvadītāju iekārtu ražotājiem un gala klientiem, XKH ir apņēmies nodrošināt augstas veiktspējas un augstas uzticamības substrātu risinājumus globālām jaunām enerģijas, augstsprieguma elektronikas un augstas temperatūras rūpnieciskām lietojumprogrammām. Mūsu mērķis ir palīdzēt klientiem pārvarēt tehniskos šķēršļus un panākt mērogojamu ieviešanu, pozicionējot sevi kā uzticamu galveno materiālu partneri SiC vērtību ķēdē.